Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : SuperMesh™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -500В;

Струм стока : -1.8А;

Потужність : 85Вт;

Корпус : DPAK;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 3000мОм;

Монтаж : SMD;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : ESD protected gate;

Виробник : ST MICROELECTRONICS;