Тип транзистора : P-MOSFET;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -30В;
Струм стока : -7.7А;
Потужність : 5.6Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±25В;
Опір в стані провідності : 30мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 65нКл;
Виробник : VISHAY;