Тип транзистора : P-MOSFET;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -40В;
Струм стока : -8.3А;
Потужність : 2.9Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 21мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 55нКл;
Виробник : VISHAY;