• FQB1P50TM

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : QFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -500В;

Струм стока : -0.95А;

Потужність : 63Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 10.5Ом;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 14нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FQB1P50TM

  • 172.00 грн.


  • 5 чи більше 148.00 грн.
  • 25 чи більше 118.40 грн.
  • 100 чи більше 107.20 грн.
  • 500 чи більше 99.20 грн.