Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : MDmesh™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 1000В;

Струм стока : 8.2А;

Потужність : 350Вт;

Корпус : TO247;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 56мОм;

Монтаж : THT;

Вид упаковки : туба;

Властивості напівпровідникових елементів : ESD protected gate;

Виробник : ST MICROELECTRONICS;