Тип транзистора : P-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -100В;
Струм стока : -40А;
Потужність : 200Вт;
Корпус : TO220AB;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 60мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 120нКл;
Вид упаковки : туба;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF5210PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225656_108606
- Наявність: 10
-
108.80 грн.
-
- 3 чи більше 97.60 грн.
- 10 чи більше 81.60 грн.
- 100 чи більше 68.80 грн.