Тип транзистора : P-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -100В;
Струм стока : -13А;
Потужність : 66Вт;
Корпус : DPAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 205мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 38.7нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRFR5410PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225654_109367
- Наявність: 10
-
60.00 грн.
-
- 3 чи більше 44.80 грн.
- 10 чи більше 36.80 грн.
- 75 чи більше 32.00 грн.