Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : SuperMesh™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 500В;

Струм стока : 4.7А;

Потужність : 100Вт;

Корпус : DPAK;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 0.8Ом;

Монтаж : SMD;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : ESD protected gate;

Виробник : ST MICROELECTRONICS;