• BSC018NE2LSIATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 25В;

Струм стока : 29А;

Потужність : 69Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 1.8мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC018NE2LSIATMA1

  • 80.65 грн.


  • 5 чи більше 72.42 грн.
  • 25 чи більше 67.58 грн.
  • 100 чи більше 62.76 грн.