• BSC010NE2LSATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 25В;

Струм стока : 39А;

Потужність : 96Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 1мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC010NE2LSATMA1

  • 70.14 грн.


  • 3 чи більше 64.74 грн.
  • 10 чи більше 62.10 грн.
  • 100 чи більше 59.35 грн.
  • 1000 чи більше 56.70 грн.