• BSC009NE2LSATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 25В;

Струм стока : 100А;

Потужність : 96Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 0.9мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC009NE2LSATMA1

  • 160.02 грн.


  • 25 чи більше 137.44 грн.
  • 100 чи більше 110.75 грн.
  • 250 чи більше 96.55 грн.
  • 1000 чи більше 89.45 грн.