• BSB008NE2LXXUMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 25В;

Струм стока : 180А;

Потужність : 89Вт;

Корпус : MG-WDSON-2, CanPAK™ MX;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 0.8мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSB008NE2LXXUMA1

  • 171.99 грн.


  • 25 чи більше 147.86 грн.
  • 100 чи більше 118.32 грн.
  • 250 чи більше 103.18 грн.
  • 1000 чи більше 95.61 грн.