Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : SuperMesh™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -60В;

Струм стока : -2А;

Потужність : 2.6Вт;

Корпус : SOT223;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 160мОм;

Монтаж : SMD;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : ESD protected gate;

Виробник : ST MICROELECTRONICS;