Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : PowerTrench®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -20В;

Струм стока : -1.6А;

Потужність : 1.6Вт;

Корпус : SuperSOT-6;

Напруга затвор-джерело : ±8В;

Опір в стані провідності : 105мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 10нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);