• FDN306P

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : PowerTrench®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -12В;

Струм стока : -2.6А;

Потужність : 0.5Вт;

Корпус : SuperSOT-3;

Напруга затвор-джерело : ±8В;

Опір в стані провідності : 80мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 17нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : logic level;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FDN306P

  • 9.18 грн.


  • 5 чи більше 16.11 грн.
  • 25 чи більше 14.26 грн.
  • 100 чи більше 11.74 грн.
  • 500 чи більше 10.13 грн.
  • 3000 чи більше 9.18 грн.

Мінімальне замовлення цього товару 5