• HGT1S10N120BNST

Тип транзистора : IGBT;

Напруги колектор-емітер : 1.2кВ;

Струм колектора : 17А;

Потужність : 298Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор - емітер : ±20В;

Струм колектора в імпульсі : 80А;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 150нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

HGT1S10N120BNST

  • 160.00 грн.


  • 5 чи більше 137.60 грн.
  • 25 чи більше 110.40 грн.
  • 100 чи більше 99.20 грн.
  • 500 чи більше 92.80 грн.