Тип транзистора : N-MOSFET x2;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 30В;
Струм стока : 8.1А;
Потужність : 2.5Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±12В;
Опір в стані провідності : 17.9мОм;
Монтаж : SMD;
Вид упаковки : cтрічка, ролик;
Властивості напівпровідникових елементів : logic level;
Виробник : Infineon (IRF);
IRL6372TRPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 201228_109807
- Наявність: 10
-
50.40 грн.
-
- 5 чи більше 34.40 грн.
- 25 чи більше 30.40 грн.
- 100 чи більше 27.20 грн.
- 500 чи більше 25.60 грн.