Тип транзистора : N-MOSFET x2;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 20В;
Струм стока : 10А;
Потужність : 2Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 13.4мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 7.4нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF8910PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 201228_108944
- Наявність: 10
-
72.00 грн.
-
- 3 чи більше 58.40 грн.
- 10 чи більше 50.40 грн.
- 95 чи більше 42.40 грн.