Тип транзистора : N/P-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 25/-25В;
Струм стока : 3.5/-2.3А;
Потужність : 2Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 100/250мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 9.4/10нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF7105PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 201228_108737
- Наявність: 10
-
52.63 грн.
-
- 3 чи більше 26.41 грн.
- 10 чи більше 21.02 грн.
- 95 чи більше 17.32 грн.