Тип модуля : транзисторний;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Напруга сток-джерело : 500В;
Струм стока : 75А;
Корпус : SOT227B;
Потужність : 1.04кВт;
Струм в імпульсі макс. : 250А;
Напруга затвор-джерело : ±30В;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Поляризація : польовий;
Робоча температура : -55...150°C;
Опір в стані провідності : 49мОм;
Технологія : HiPerFET™;
Виробник : IXYS;
IXFN100N50P
- Бренди IXYS
- Артикул: 226914_110968
- Наявність: 10
-
3 091.20 грн.
-
- 3 чи більше 2 759.20 грн.
- 10 чи більше 2 328.80 грн.
- 25 чи більше 2 168.00 грн.