Тип транзистора : N/P-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 30/-30В;
Струм стока : 3.5/-2.3А;
Потужність : 2Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 100мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 6.9/6.1нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF9952PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 201228_108985
- Наявність: 10
-
27.83 грн.
-
- 3 чи більше 43.44 грн.
- 10 чи більше 39.15 грн.
- 95 чи більше 32.38 грн.
- 380 чи більше 27.83 грн.
Мінімальне замовлення цього товару 3