Тип модуля : транзисторний;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Напруга сток-джерело : 500В;
Струм стока : 55А;
Корпус : SOT227B;
Потужність : 625Вт;
Струм в імпульсі макс. : 220А;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Поляризація : польовий;
Робоча температура : -55...150°C;
Опір в стані провідності : 80мОм;
Технологія : HiPerFET™;
Виробник : IXYS;
IXFN55N50
- Бренди IXYS
- Артикул: 226914_110974
- Наявність: 10
-
3 418.40 грн.
-
- 3 чи більше 3 103.20 грн.
- 10 чи більше 2 622.40 грн.
- 25 чи більше 2 300.00 грн.