• DACSB80060CT

Тип модуля : діодний;

Структура напівпровідника : подвійний, спільний катод;

Зворотна напруга макс. : 600В;

Струм провідності макс. : 800А;

Корпус : Twin tower B;

Пряма напруга макс. : 1.45В;

Струм в імпульсі макс. : 3кА;

Монтаж : пригвинчуваний;

Електричний монтаж : пригвинчуваний;

Технологія : SiC;

Властивості напівпровідникових елементів : Шотткі;

Вид упаковки : розсипний;

Виробник : DACO Semiconductor;

DACSB80060CT

  • 32 480.00 грн.


  • 3 чи більше 28 720.00 грн.
  • 10 чи більше 25 840.00 грн.