Тип модуля : IGBT;
Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;
Топологія : півмісток IGBT;
Зворотна напруга макс. : 1.2кВ;
Струм колектора : 150А;
Потужність : 1.1кВт;
Струм в імпульсі макс. : 300А;
Корпус : package D;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Монтаж : пригвинчуваний;
Робоча температура : -40...150°C;
Напруга затвор - емітер : ±20В;
Виробник : LITTELFUSE;
MG12150D-BA1MM
- Бренди LITTELFUSE
- Артикул: 200620_135925
- Наявність: 10
-
10 580.00 грн.
-
- 3 чи більше 9 680.00 грн.
- 10 чи більше 8 400.00 грн.