Тип модуля : IGBT;

Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;

Топологія : півмісток IGBT;

Зворотна напруга макс. : 1.2кВ;

Струм колектора : 100А;

Струм в імпульсі макс. : 300А;

Корпус : SEMITRANS2;

Електричний монтаж : пригвинчуваний;

Монтаж : пригвинчуваний;

Робоча температура : -40...125°C;

Напруга затвор - емітер : ±20В;

Виробник : SEMIKRON;