• SEMIX101GD12VS

Тип модуля : IGBT;

Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;

Топологія : термістор NTC, 3-фазний міст IGBT;

Зворотна напруга макс. : 1.2кВ;

Струм колектора : 121А;

Струм в імпульсі макс. : 300А;

Корпус : SEMIX13;

Використання : перетворювач частоти, інвертор;

Електричний монтаж : пригвинчуваний;

Монтаж : пригвинчуваний;

Робоча температура : -55...150°C;

Напруга затвор - емітер : ±20В;

Виробник : SEMIKRON;

SEMIX101GD12VS

  • Бренди SEMIKRON
  • Артикул: 200620_176212
  • Наявність: 10
  • 15 891.20 грн.


  • 3 чи більше 14 446.40 грн.
  • 8 чи більше 12 905.60 грн.