Тип модуля : транзисторний;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Напруга сток-джерело : 300В;
Струм стока : 100А;
Корпус : SOT227B;
Потужність : 700Вт;
Струм в імпульсі макс. : 520А;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Поляризація : польовий;
Робоча температура : -55...150°C;
Опір в стані провідності : 22мОм;
Технологія : HiPerFET™;
Виробник : IXYS;
IXFN130N30
- Бренди IXYS
- Артикул: 226914_110969
- Наявність: 10
-
5 160.00 грн.
-
- 3 чи більше 4 612.80 грн.
- 10 чи більше 3 757.60 грн.
- 25 чи більше 3 530.40 грн.