Тип модуля : IGBT;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Зворотна напруга макс. : 600В;
Струм колектора : 200А;
Потужність : 830Вт;
Струм в імпульсі макс. : 1.2кА;
Корпус : SOT227B;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Монтаж : пригвинчуваний;
Робоча температура : -55...150°C;
Напруга затвор - емітер : ±20В;
Виробник : IXYS;
IXGN200N60B3
- Бренди IXYS
- Артикул: 200620_110988
- Наявність: 10
-
3 756.00 грн.
-
- 3 чи більше 3 394.40 грн.
- 10 чи більше 2 707.20 грн.