Тип модуля : IGBT;
Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;
Топологія : півмісток IGBT;
Зворотна напруга макс. : 1.2кВ;
Струм колектора : 200А;
Потужність : 1.1кВт;
Струм в імпульсі макс. : 400А;
Корпус : AG-62MM-1;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Монтаж : пригвинчуваний;
Робоча температура : -40...125°C;
Напруга затвор - емітер : ±20В;
Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;
FF200R12KT4HOSA1
- Бренди INFINEON TECHNOLOGIES
- Артикул: 200620_87301
- Наявність: 10
-
12 771.20 грн.
-
- 3 чи більше 10 835.20 грн.
- 10 чи більше 8 845.60 грн.