Тип транзистора : N-JFET/N-MOSFET;
Технологія : SiC;
Поляризація : польовий;
Вид транзистора : cascode;
Напруга сток-джерело : 1.2кВ;
Струм стока : 14А;
Потужність : 113.6Вт;
Корпус : TO247-3;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 100мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 47.5нКл;
Виробник : UnitedSiC;
UJC1210K
- Бренди UNITED SILICON CARBIDE
- Артикул: 225652_203825
- Наявність: 10
-
2 549.60 грн.
-
- 3 чи більше 2 290.40 грн.
- 10 чи більше 2 022.40 грн.
- 30 чи більше 1 820.80 грн.