Тип транзистора : N-JFET/N-MOSFET;
Технологія : SiC;
Поляризація : польовий;
Вид транзистора : cascode;
Напруга сток-джерело : 1.2кВ;
Струм стока : 24.5А;
Потужність : 192Вт;
Корпус : TO247-3;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 60мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 47.5нКл;
Виробник : UnitedSiC;
UJC1206K
- Бренди UNITED SILICON CARBIDE
- Артикул: 225652_203824
- Наявність: 10
-
3 182.40 грн.
-
- 3 чи більше 2 856.00 грн.
- 10 чи більше 2 664.80 грн.
- 30 чи більше 2 568.80 грн.