Тип модуля : діодно-тиристорний;
Структура напівпровідника : подвійна лінійна;
Зворотна напруга макс. : 1.8кВ;
Струм провідності : 320А;
Корпус : BG-PB50SB-1;
Пряма напруга макс. : 1.47В;
Струм в імпульсі макс. : 9.5кА;
Струм вентиля : 150мА;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний, конектори FASTON;
Струм провідності макс. : 320А;
Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

