Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : MDmesh™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 800В;

Струм стока : 8.8А;

Потужність : 190Вт;

Корпус : TO247;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 300мОм;

Монтаж : THT;

Вид упаковки : туба;

Властивості напівпровідникових елементів : ESD protected gate;

Виробник : ST MICROELECTRONICS;