Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : STripFET™ F7;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 30В;
Струм стока : 11А;
Потужність : 2.5Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±18В;
Опір в стані провідності : 10.5мОм;
Монтаж : SMD;
Вид упаковки : cтрічка, ролик;
Виробник : ST MICROELECTRONICS;