Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : OptiMOS™;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 30В;
Струм стока : 30А;
Потужність : 100Вт;
Корпус : PG-TO252-3;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 10мОм;
Монтаж : SMD;
Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;