Тип транзистора : P-MOSFET;
Технологія : SIPMOS™;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -100В;
Струм стока : -4А;
Потужність : 38Вт;
Корпус : PG-TO252-3;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 1000мОм;
Монтаж : SMD;
Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;