Тип транзистора : P-MOSFET;
Технологія : SIPMOS™;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -60В;
Струм стока : -18.6А;
Потужність : 81.1Вт;
Корпус : PG-TO263-3;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 130мОм;
Монтаж : SMD;
Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;