Тип діода : transil;

Power dissipation : 3кВт;

Зворотна напруга макс. : 6.5В;

Напруга пробою : 7.6В;

Струм в імпульсі макс. : 267.9А;

Структура напівпровідника : двоспрямована;

Допуск : ±5%;

Корпус : DO214AB;

Монтаж : SMD;

Струм витоку : 1мА;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : glass passivated;

Виробник : LITTELFUSE;