Тип діода : transil;

Power dissipation : 3кВт;

Зворотна напруга макс. : 10В;

Напруга пробою : 11.7В;

Струм в імпульсі макс. : 176.5А;

Структура напівпровідника : двоспрямована;

Допуск : ±5%;

Корпус : DO214AB;

Монтаж : SMD;

Струм витоку : 10мкА;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : glass passivated;

Виробник : LITTELFUSE;