Тип модуля : IGBT;

Структура напівпровідника : діод/транзистор;

Топологія : гальмівний переривник;

Зворотна напруга макс. : 1.2кВ;

Струм колектора : 324А;

Струм в імпульсі макс. : 900А;

Корпус : SEMITRANS3;

Електричний монтаж : пригвинчуваний;

Монтаж : пригвинчуваний;

Робоча температура : -40...125°C;

Напруга затвор - емітер : ±20В;

Виробник : SEMIKRON;