Тип модуля : IGBT;

Структура напівпровідника : діод/транзистор;

Топологія : гальмівний переривник, термістор, 3-фазни діодний міст, 3-фазний міст IGBT;

Зворотна напруга макс. : 1.2кВ;

Струм колектора : 40А;

Потужність : 11кВт;

Струм в імпульсі макс. : 700А;

Корпус : MiniSKiiP® 2;

Використання : перетворювач частоти, інвертор;

Електричний монтаж : Press Fit;

Монтаж : пригвинчуваний;

Робоча температура : -40...125°C;

Напруга затвор - емітер : ±20В;

Виробник : SEMIKRON;