• SI5855DC-T1-GE3

Тип транзистора : P-MOSFET + Schottky;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -20В;

Струм стока : -1.9А;

Потужність : 0.6Вт;

Корпус : 1206-8;

Напруга затвор-джерело : ±8В;

Опір в стані провідності : 0.24Ом;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 7.7нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : VISHAY;

SI5855DC-T1-GE3

  • Бренди VISHAY
  • Артикул: 225654_177377
  • Наявність: 10
  • 46.40 грн.