Тип транзистора : P-MOSFET;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -20В;
Струм стока : -11.1А;
Потужність : 3Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±12В;
Опір в стані провідності : 20мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 56нКл;
Виробник : VISHAY;