Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : PowerTrench®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -30В;

Струм стока : -8.8А;

Потужність : 2.5Вт;

Корпус : SO8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 35мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 24нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);