Тип модуля : транзисторний;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Напруга сток-джерело : -100В;
Струм стока : -210А;
Корпус : SOT227B;
Потужність : 830Вт;
Струм в імпульсі макс. : -840А;
Напруга затвор-джерело : ±15В;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Поляризація : польовий;
Робоча температура : -55...150°C;
Опір в стані провідності : 7.5мОм;
Виробник : IXYS;
IXTN210P10T
- Бренди IXYS
- Артикул: 226914_111029
- Наявність: 10
-
4 770.40 грн.
-
- 3 чи більше 4 297.60 грн.
- 10 чи більше 3 796.00 грн.