Тип модуля : транзисторний;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Напруга сток-джерело : 1.2кВ;
Струм стока : 35А;
Корпус : SOT227B;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Поляризація : польовий;
Робоча температура : -40...150°C;
Опір в стані провідності : 50мОм;
Технологія : HiPerFET™;
Виробник : IXYS;
IXFN50N120SIC
- Бренди IXYS
- Артикул: 226914_110973
- Наявність: 10
-
7 696.00 грн.
-
- 3 чи більше 6 796.00 грн.
- 10 чи більше 5 906.40 грн.