Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 100В;
Струм стока : 180А;
Потужність : 370Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±16В;
Опір в стані провідності : 4.3мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 87нКл;
Властивості напівпровідникових елементів : logic level;
Виробник : Infineon (IRF);
IRLS4030PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_109948
- Наявність: 10
-
400.00 грн.
-
- 3 чи більше 356.80 грн.
- 10 чи більше 285.60 грн.
- 50 чи більше 257.60 грн.

