• IRF9Z34NLPBF

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -55В;

Струм стока : -19А;

Потужність : 68Вт;

Корпус : TO262;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 100мОм;

Монтаж : THT;

Заряд затвора : 23.3нКл;

Виробник : Infineon (IRF);

IRF9Z34NLPBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225656_108993
  • Наявність: 10
  • 80.80 грн.


  • 3 чи більше 70.40 грн.
  • 10 чи більше 65.60 грн.
  • 100 чи більше 60.80 грн.