Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 100В;
Струм стока : 8.3А;
Потужність : 2.5Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 18мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 28нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF7853PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108905
- Наявність: 10
-
79.20 грн.
-
- 3 чи більше 72.80 грн.
- 10 чи більше 62.40 грн.
- 95 чи більше 55.20 грн.