Тип транзистора : N-MOSFET x2;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 55В;
Струм стока : 4.7А;
Потужність : 2Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 50мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 24нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF7341PBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 201228_108785
- Наявність: 10
-
53.89 грн.
-
- 3 чи більше 36.65 грн.
- 10 чи більше 29.06 грн.
- 95 чи більше 26.03 грн.

